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MOSFET的电压电流关系可以通过其电路特性曲线(也称为转移特性曲线)来描述,MOSFET的转移特性曲线描述了输入电压与输出电流之间的关系。
下图N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线;
对于N沟道MOSFET,它的转移特性曲线可以分为三个区域:截止区、线性区和饱和区。
当输入电压(即栅极电压)低于某一临界电压时,MOSFET处于截止区。在此区域内,MOSFET的电流非常小,可以视为完全断开。
当输入电压逐渐增加到临界电压以上,MOSFET进入线性区。在此区域内,输出电流随输入电压的增加而线性增加。
当输入电压进一步增加时,MOSFET进入饱和区。在此区域内,输出电流基本上保持不变,即使输入电压进一步增加,输出电流也不会显著增加。
总体来说,MOSFET的电压电流关系是非常复杂的,并且受到很多因素的影响,如温度、通道长度、掺杂浓度等。因此,在实际应用中,通常需要仔细选择和调整MOSFET的参数以满足设计要求。
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