MOSFET管是看VGS还是VDS参数呢？

   VGS和VDS二者都是mos管的主要参数，关于MOS管是看VGS还是VDS，很多人不是很清楚，今日东莞二方电子小编来为您介绍下，给您讲明白。

   MOSFET管是看VGS还是VDS参数呢？

   MOS管在工作时需要综合考虑VGS和VDS两个参数，因为这两个参数都会对MOS管的工作特性产生影响。其中，VGS是指栅极-源极电压，它是控制MOS管导通和截止的重要指标，表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值，一般来说，当VGS大于或等于MOS管的临界电压时，MOS管会处于导通状态，反之则会处于截止状态。

   MOS管的基本参数；

   而VDS是指漏极-源极电压，表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值，它主要影响MOS管在导通状态下的电流大小，当VDS过大时，MOS管的电流将会出现饱和现象，影响电路的正常工作。因此，在设计MOS管电路时，需要综合考虑VGS和VDS两个参数，以保证MOS管的正常工作。

   通过上述介绍，相信您有了一定的了解，总之，如果需要确保MOS管正常工作，一般会关注VGS，因为VGS直接控制MOS管的导通程度。如果需要更多地了解MOS管的负载能力和稳定性等方面，需要关注VDS。

   相关产品栏目推荐；

   场效应管,高低压MOSFET管（型号 价格 国产）

   更多MOSFET管常见问答；

   Mos管内阻值大或小各自的优缺点

   低压mos管（mosfet）主要用在什么产品？

   mos管怎么判断漏栅源极呢？看完秒懂