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场效应管4n65的代换考虑因素与市场常见型号

作者:erfang 发布时间:2024-07-04 20:26:36点击:165

   场效应管4N65是一种常见的N沟道增强型MOSFET,在许多电子电路中广泛应用,特别是电源管理和开关电路中,今日本文主要解答下大家关注的代换考虑因素与常见代换型号。

   4N65场效应管的基本参数介绍;

   漏源电压(Vds):650V

   漏极电流(Id):4A

   导通电阻(Rds(on)):1.6Ω

   栅极电荷(Qg):典型值为25nC

   栅源电压 (Vgs):一般为±30V

   场效应管4n65图片

   代换的考虑因素;

   1、电压和电流等级:代换管的Vds和Id值必须至少与4N65相同或更高,以确保其能够承受电路中的电压和电流。

   2、导通电阻(Rds(on)):导通电阻应尽量相近,以保证替换后的电路性能不受太大影响。过高的导通电阻会增加损耗,影响效率。

   3、栅极电荷(Qg):栅极电荷影响开关速度,替换管的Qg值应尽量相似,以确保电路的开关速度不变。

   4、封装形式:要确保新器件的封装与4N65一致,以便直接替换而不需要修改电路板。

   4N65场效应管常见代换型号:

   KIA4365A:由深圳可易亚半导体提供的型号,具有与4N65相近的性能参数,如650V的漏源电压、4A的漏电流和快速切换技术。

   SFD4N65:由深圳深鸿盛生产,同样是650V/4A规格,采用VDMOS工艺,适用于高压应用,具有低导通损耗和强抗冲击能力。

   FQPF4N65C:飞虹半导体提供的替代型号,同样为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,适用于开关电源、AC-DC转换器等应用。

   AP4N65D:TO252-3封装,同样650v4A,永源微提供。

   ASEMI 4N65:具有650V的漏源击穿电压、最大4A漏极电流和低固有电容,适用于高压开关应用。

   ……

   这些型号的选择通常取决于供应商的可用性、成本效益,在进行型号替换时,重要的是要确保新选用的MOS管的主要电气参数(如漏源电压、漏极电流、导通电阻等)与原设计要求相匹配,以保证电路的正常运行和性能。

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