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500V耐压MOS管AP5N50K(参数 丝印 封装)

AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS,丝印5N50K,TO-252封装,主要特点是连续漏极电流5A,导通电阻RDS (ON)<1.5Ω@VGs=10V,TYP:1.25Ω,断开延时时间20ns(VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω),主要用于PWM应用,负荷开关,电源管理等。

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AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS,丝印5N50K,TO-252封装,主要特点是连续漏极电流5A,导通电阻RDS (ON)<1.5Ω@VGs=10V,TYP:1.25Ω,断开延时时间20ns(VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω),主要用于PWM应用,负荷开关,电源管理等。

500v mos管AP5N50K丝印和引脚分配图;

500v mos管AP5N50K丝印和引脚分配图

AP5N50K的最大额定参数;

AP5N50K的最大额定参数