什么是增强型MOSFET？增强型MOS管工作原理及导通条件

    MOSFET，也就是我们所说的场效应晶体管，根据导电方式的不同，又有分增强型和耗尽型，今天本文主要来说的是增强型MOSFET，看看它的定义，了解它的工作原理以及导通条件。

    增强型MOSFET定义介绍；

    所谓增强型MOSFET是指当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间形成的电容电场作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的多子空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层；同时将吸引其中的少子向表层运动，但数量有限，不足以形成导电沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流ID。进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th)称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层。随着VGS的继续增加,ID将不断增加。在VGS＝0V时ID＝0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，所以,这种MOS管称为增强型MOS管。

   增强型MOS管工作原理；

   上图为增强型N沟道MOS场效应晶体管工作过程，从上图中我们可以看到，场效应管在栅极没有电压时，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，电流也就是这样形成的，并进而使源极和漏极之间导通。

   增强型mos导通条件介绍；

   MOS管的导通与截止由栅源电压（栅极和源极间的电压压差）来控制，一般2V～4V就可以了，对于增强型MOS管来说，需要加电压才能完成导通。

   注：NMOS的特性为Vgs大于一定的值就会导通，PMOS的特性为Vgs小于一定的值就会导通。

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