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什么是增强型MOSFET?增强型MOS管工作原理及导通条件

作者:erfang 发布时间:2022-08-21 11:37:56点击:1330

    MOSFET,也就是我们所说的场效应晶体管,根据导电方式的不同,又有分增强型和耗尽型,今天本文主要来说的是增强型MOSFET,看看它的定义,了解它的工作原理以及导通条件。

    增强型MOSFET定义介绍;

    所谓增强型MOSFET是指当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。当栅极加有电压时,若0<VGS<VGS(th)时,通过栅极和衬底间形成的电容电场作用,将靠近栅极下方的P型半导体中的多子空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层;同时将吸引其中的少子向表层运动,但数量有限,不足以形成导电沟道,将漏极和源极沟通,所以仍然不足以形成漏极电流ID。进一步增加VGS,当VGS>VGS(th)时( VGS(th)称为开启电压),由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层。随着VGS的继续增加,ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0,只有当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流,所以,这种MOS管称为增强型MOS管。

   增强型MOS管工作原理;

    增强型N沟道MOS场效应晶体管工作过程

   上图为增强型N沟道MOS场效应晶体管工作过程,从上图中我们可以看到,场效应管在栅极没有电压时,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,电流也就是这样形成的,并进而使源极和漏极之间导通。

   增强型mos导通条件介绍;

   MOS管的导通与截止由栅源电压(栅极和源极间的电压压差)来控制,一般2V~4V就可以了,对于增强型MOS管来说,需要加电压才能完成导通。

   注:NMOS的特性为Vgs大于一定的值就会导通,PMOS的特性为Vgs小于一定的值就会导通。

   以上就是关于增强型MOS的定义以及工作原理,导通条件相关介绍,如需了解高低压MOS型号请点击:https://www.erfang-ic.com/products/mos/

   相关增强型mos型号;

   N沟道增强型MOSFET AP30H80Q 30V70A

   增强型n沟道mos管SFD6003T(参数 价格 应用)

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