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低内阻双n沟道mos管AP4946S(实物图 引脚 参数)2022-12-11 19:51:12
AP4946S是铨力半导体一款双N沟道(N+N)MOS管,SO-8封装,漏源电压60V,连续漏极电流5A,导通电阻35mΩ@10V,5A,阈值电压3V@250uA,具有较低的栅极电荷,简单驱动要求,快速开关,符合RoHS标准,如需了解该MOS的实时价格请联系。...
40v50a场效应管SFM4005DT(图片 价格 应用)2022-06-11 10:38:08
SFM4005DT型号是一颗40V50A双n沟道mos管,属于低压MOS,采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供优良的RDS(ON),它可以用于各种各样的应用,19mΩ,最大功率30W,丝印SFM4005DT,DFN5*6-8L封装,广泛应用于手持电动工具、汽车电子、小家电、锂电池保护、逆变,器、无人机、工业伺服电控、风机水泵、园林工具、两轮电动车等领域。...