铨力双N沟道低压MOS管AP4822QD（参数 引脚 代换）
AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管，增强型，30v20A，丝印4822QD，结温150℃，功率4.8W，封装方式为PDFN3X3-8L，5000个一包装，可直接替换HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号，想了解更多关于该MOS的价格，应用，测试电路，规格书等欢迎联系孙经理。
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AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管，增强型，30v20A，丝印4822QD，结温150℃，功率4.8W，封装方式为PDFN3X3-8L，5000个一包装，可直接替换HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号，想了解更多关于该MOS的价格，应用，测试电路，规格书等欢迎联系孙经理。
AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管，增强型，30v20A，丝印4822QD，结温150℃，功率4.8W，封装方式为PDFN3X3-8L，5000个一包装，可直接替换（代换）HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号，下图为该MOS的基本信息参数。
AP4822QD的丝印和引脚分配情况；
附2个N沟道MOS管AP4822QD的绝对最大额定值参数；
想了解更多关于该MOS的价格，应用，测试电路，规格书等欢迎联系孙经理。
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