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低内阻双n沟道mos管AP4946S(实物图 引脚 参数)

AP4946S是铨力半导体一款双N沟道(N+N)MOS管,SO-8封装,漏源电压60V,连续漏极电流5A,导通电阻35mΩ@10V,5A,阈值电压3V@250uA,具有较低的栅极电荷,简单驱动要求,快速开关,符合RoHS标准,如需了解该MOS的实时价格请联系。

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AP4946S是铨力半导体一款双N沟道(N+N)MOS管,SO-8封装,漏源电压60V,连续漏极电流5A,导通电阻35mΩ@10V,5A,阈值电压3V@250uA,具有较低的栅极电荷,简单驱动要求,快速开关,符合RoHS标准,如需了解该MOS的实时价格请联系二方电子。

低内阻双n沟道mos管AP4946S参数;

低内阻双n沟道mos管AP4946S参数

双N沟道MOS AP4946S电气特性;

双N沟道MOS AP4946S电气特性