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锂电池保护板100vmos管AP40N100K(图片 参数 供应)

AP40N100K是铨力半导体(国产)一款100vmos管,N沟道,漏源电压100V,连续漏极电流40A,功率40W,导通电阻20mΩ@10V,15A,栅极电荷15nC@10V,丝印40N100K,可用于锂电池保护板,DC/DC转换器,便携式设备负载开关等,如需了解该MOS的更多信息,价格请联系二方电子科技。

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AP40N100K是铨力半导体(国产)一款100vmos管,N沟道,漏源电压100V,连续漏极电流40A,功率40W,导通电阻20mΩ@10V,15A,栅极电荷15nC@10V,丝印40N100K,可用于锂电池保护板,DC/DC转换器,便携式设备负载开关等,如需了解该MOS的更多信息,价格请联系二方电子科技。

100vmos管AP40N100K基本信息参数

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