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-100V -50A P沟道MOS管AP50P10D(图片 参数 价格)

AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管,采用先进的沟槽技术和设计,漏源电压-100v,连续漏极电流-50A,导通电阻46mΩ@4.5V,8A,功率104w,工作温度-55℃~+150℃,主要用于电源开关,dc/dc转换器,TO-252封装,丝印AP50P10D,需要询价请联系东莞二方电子科技。

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AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管,采用先进的沟槽技术和设计,漏源电压-100v,连续漏极电流-50A,导通电阻46mΩ@4.5V,8A,功率104w,工作温度-55℃~+150℃,主要用于电源开关,dc/dc转换器,TO-252封装,丝印AP50P10D,需要询价请联系东莞二方电子科技。

下图为100v P沟道MOS管AP50P10D基本参数信息;

100v P沟道MOS管AP50P10D基本参数信息

AP50P10D mos管的电气特性参数一览表;

AP50P10D mos管的电气特性参数一览表