N沟道MOS管100v90A APG077N01G（图片 丝印 价格）
APG077N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS，封装是PDFN5X6-8L，丝印为G077N01G，包装方式为编带，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)，90A，导通电阻6.2mΩ@10V,40A，适用于负荷开关，电源管理，如需了解该MOS的价格欢迎联系二方电子。
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APG077N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS，封装是PDFN5X6-8L，丝印为G077N01G，包装方式为编带，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)，90A，导通电阻6.2mΩ@10V,40A，适用于负荷开关，电源管理，如需了解该MOS的价格欢迎联系二方电子。
APG077N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS，封装是PDFN5X6-8L，丝印为G077N01G，包装方式为编带，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)，90A，导通电阻6.2mΩ@10V,40A，适用于负荷开关，电源管理，如需了解该MOS的价格欢迎联系二方电子。
APG077N01G规格参数表；
APG077N01G电气特性参数；
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