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锂电池保护板100vmos管AP40N100K(图片 参数 供应)2022-12-10 15:44:55
AP40N100K是铨力半导体(国产)一款100vmos管,N沟道,漏源电压100V,连续漏极电流40A,功率40W,导通电阻20mΩ@10V,15A,栅极电荷15nC@10V,丝印40N100K,可用于锂电池保护板,DC/DC转换器,便携式设备负载开关等,如需了解该MOS的更多信息,价格请联系二方电子科技。...
N沟道MOS管100v90A APG077N01G(图片 丝印 价格)2022-10-26 19:51:57
APG077N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS,封装是PDFN5X6-8L,丝印为G077N01G,包装方式为编带,漏源电压(Vdss)100V,连续漏极电流(Id),90A,导通电阻6.2mΩ@10V,40A,适用于负荷开关,电源管理,如需了解该MOS的价格欢迎联系二方电子。...
100V耐压MOS管60A APG095N01G(图片 参数 封装)2022-10-25 20:59:28
​APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管,丝印G095N01G,采用PDFN5*6-8L,包装方式为编带,数量5000个,漏源电压(Vdss)100V,连续漏极电流(Id)60A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A,欢迎来电咨询价格。...