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P+N沟道功率MOSFET AP4616(参数 封装 应用)

AP4616是铨力半导体一款P+N沟道功率MOSFET管(复合mos管),采用贴片SOP8封装,采用创芯设计及硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能,适用于电压转换或开关应用,如需报价,欢迎联系二方电子,下图为AP4616的引脚及漏源电压、连续漏极电流参数介绍。

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AP4616是铨力半导体一款P+N沟道功率MOSFET管,采用贴片SOP8封装,采用创芯设计及硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能,适用于电压转换或开关应用,如需报价,欢迎联系二方电子。

AP4616引脚及漏源电压、连续漏极电流参数;

AP4616引脚及漏源电压、连续漏极电流参数

pn沟道复合mos管AP4616的绝对最大额定值参数;

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