P+N沟道功率MOSFET AP4616（参数 封装 应用）
AP4616是铨力半导体一款P+N沟道功率MOSFET管（复合mos管），采用贴片SOP8封装，采用创芯设计及硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能，适用于电压转换或开关应用，如需报价，欢迎联系二方电子，下图为AP4616的引脚及漏源电压、连续漏极电流参数介绍。
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AP4616是铨力半导体一款P+N沟道功率MOSFET管（复合mos管），采用贴片SOP8封装，采用创芯设计及硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能，适用于电压转换或开关应用，如需报价，欢迎联系二方电子，下图为AP4616的引脚及漏源电压、连续漏极电流参数介绍。
AP4616是铨力半导体一款P+N沟道功率MOSFET管，采用贴片SOP8封装，采用创芯设计及硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能，适用于电压转换或开关应用，如需报价，欢迎联系二方电子。
AP4616引脚及漏源电压、连续漏极电流参数；
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