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铨力P沟道功率MOSFET AP2305(参数 封装 应用)

AP2305型号是铨力半导体一款P沟道功率MOSFET,提供优异的Rds(ON),在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V, 最大栅源电压VGS为±12V,最大漏极电流ID为-4.1A,最大脉冲漏源电流IDM为-15A,最小漏源击穿电压BVDSS为-20V(VGS=0V,ID=250μA),最大总功耗PD仅为1.7W。

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AP2305型号是铨力半导体一款P沟道功率MOSFET,提供优异的Rds(ON),在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V, 最大栅源电压VGS为±12V,最大漏极电流ID为-4.1A,最大脉冲漏源电流IDM为-15A,最小漏源击穿电压BVDSS为-20V(VGS=0V,ID=250μA),最大总功耗PD仅为1.7W,结到环境的热阻RθJA最大为74℃/W,存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间,该mos适合用作负载开关或PWM应用,采用SOT-23封装,3000个一包装,欢迎询价。

AP2305的主要特征;

VDs=-20V,ID=-4.1A

Rds(ON)<75m@Vgs=-2.5V

Rds(ON)<42mΩ@VGs=-4.5V

高功率和电流处理能力

通过无铅和AEC-Q101认证

AP2305电气特性参数;

AP2305电气特性参数

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