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N+P沟道mos AP4910GD(参数 应用 价格)

AP4910GD是ALLPOWER(铨力)一款n+p沟道场效应管,丝印4910GD,PDFN5X6封装,N沟道Vdd=40V,Io=30A,P沟道Vdd=-40V,Io=-40A,功耗45W,主要用于PWM应用,负荷开关以及电源管理,如需了解该MOS的价格,参数,规格书,欢迎联系二方电子。

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AP4910GD是ALLPOWER(铨力)一款n+p沟道场效应管,丝印4910GD,PDFN5X6封装,N沟道Vdd=40V,Io=30A,P沟道Vdd=-40V,Io=-40A,功耗45W,主要用于PWM应用,负荷开关以及电源管理,如需了解该MOS的价格,参数,规格书资料,欢迎联系二方电子。

AP4910GD主要特征;

N沟道

Vdd=40V,Io=30A

Rds(on)<16mΩ@VGs=10V   TYP 14mΩ

Rds(on)<25mΩ@VGs=-4.5V TYP 20mΩ

P沟道

Vdd=-40V,Io=-40A

Rds(on)<16mΩ@VGs=-10V   TYP 13.5mΩ

Rds(on)<25mΩ@VGs=-4.5V  TYP 16.5mΩ

AP4910GD MOS绝对最大额定参数;

AP4910GD MOS绝对最大额定参数

相关标签:1N1P沟道MOS