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HI-SEMICON深鸿盛MOS管命名规则解释

作者:erfang 发布时间:2023-11-18 09:58:27点击:447

   MOS管的型号命名规则通常由多个部分构成,如字母前缀,额定电流,产品类型(N沟还是P沟),封装类型,额定电压等,不同的mosfet制造商可能采用不同的命名规则,以下是HI-SEMICON深鸿盛电子MOS管的命名规则解释。

   下图为HI-SEMICON深鸿盛MOSFET的型号组成介绍

   HI-SEMICON深鸿盛MOS管命名规则

   举例,型号SFF7N65,SF代表平面工艺,其次的F代表封装类型是TO-220F-3L,7表示电流7A,N代表N沟道,65代表650v。

   下面是市面上常见的mosfet管的常见命名规则解释;

   字母前缀:通常表示制造商或产品系列的缩写,例如IR表示国际整流器(International Rectifier),ST表示意法半导体(STMicroelectronics)等。

   数字/字母:通常表示器件的主要特性,如功率、电压等。以下是常见的标识和含义:

   N通道型(n-channel):通常以字母"N"表示,例如IRF530N;

   P通道型(p-channel):通常以字母"P"表示,例如IRF9530P;

   数字:通常表示器件的电压或功率等级,例如IRF540表示500V的功率MOSFET。

   后缀:通常表示器件的封装形式或其他特殊的功能,常见的后缀有:

   B:表示BGA封装(Ball Grid Array);

   D:表示双极性器件(Dual);

   F:表示扁平封装(Flat);

   G:表示功率器件(Power);

   L:表示低功耗或低电压器件(Low Power/Low Voltage);

   T:表示温度(Temperature);

   U:表示超低电压(Ultra Low Voltage);

   V:表示增强型或增强型(Enhanced);

   以上就是关于我司代理的HI-SEMICON深鸿盛MOS管命名规则和市面上mosfet常见命名规则介绍,如需了解某款具体型号时,最好参考该制造商的规格说明或数据手册。此外,还可以通过参数搜索引擎或电子元器件分销商的网站来查找和了解。

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