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n+p沟道场效应管AP3003(实物图 参数 规格书)2022-11-29 20:45:39
AP3003(AP3003S6)是一款n和p沟道功率MOSFET,SOT23-6封装,丝印3003,安装类型SMT,Vds=30V,Io=4.2A,采用先进的沟槽技术提供优良的Rds(ON),低栅电荷,该MOS适用于电池保护或其他开关应用,3000个包装,最大功耗1.2W,漏源击穿电压BVDSS是33V,了解最新价格欢迎联系二方电子科技。...
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