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n+p沟道场效应管AP3003(实物图 参数 规格书)

AP3003(AP3003S6)是一款n和p沟道功率MOSFET,SOT23-6封装,丝印3003,安装类型SMT,Vds=30V,Io=4.2A,采用先进的沟槽技术提供优良的Rds(ON),低栅电荷,该MOS适用于电池保护或其他开关应用,3000个包装,最大功耗1.2W,漏源击穿电压BVDSS是33V,了解最新价格欢迎联系二方电子科技。

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AP3003(AP3003S6)是一款n和p沟道功率MOSFET,SOT23-6封装,丝印3003,安装类型SMT,Vds=30V,Io=4.2A,采用先进的沟槽技术提供优良的Rds(ON),低栅电荷,该MOS适用于电池保护或其他开关应用,3000个包装,最大功耗1.2W,漏源击穿电压BVDSS是33V,了解最新价格欢迎联系二方电子科技。

N沟道;

Vds = 30V,ID = 4.2A

Rds(ON)<24mΩ@VGs=10V

Rds(ON)<28mΩ@VGs=4.5V

P沟道;

VDs =-30V,ID =-3.7A

RDs(ON)<65mΩ@VGs=-10V

RDs(ON)<85mΩ@VGs=-4.5V


n+p沟道场效应管AP3003最大额定值参数;

n+p沟道场效应管AP3003最大额定值参数

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