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P沟道增强型MOS AP30P30Q(图片 参数 丝印)

AP30P30Q是铨力半导体一款P沟道增强型mos晶体管,漏源电压-30v,连续漏极电流-40A,导通电阻10mΩ@10V,15A,编带包装5000个数量,丝印为30P30Q,PDFN3X3封装,主要应用于直流/直流转换器,便携式设备负载开关,电池开关,欢迎询价问样。

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AP30P30Q是铨力半导体一款P沟道增强型mos晶体管,漏源电压-30v,连续漏极电流-40A,导通电阻10mΩ@10V,15A,编带包装5000个数量,丝印为30P30Q,PDFN3X3封装,主要应用于直流/直流转换器,便携式设备负载开关,电池开关,欢迎询价问样。

RDS(ON)<9mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)<13mΩ@VGs=-4.5V

AP30P30Q包装丝印及订购信息;

无非.jpg

AP30P30Q最大额定值参数;

AP30P30Q最大额定值参数

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