P沟道增强型MOS AP30P30Q（图片 参数 丝印）
AP30P30Q是铨力半导体一款P沟道增强型mos晶体管，漏源电压-30v，连续漏极电流-40A，导通电阻10mΩ@10V,15A，编带包装5000个数量，丝印为30P30Q，PDFN3X3封装，主要应用于直流/直流转换器，便携式设备负载开关，电池开关，欢迎询价问样。
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AP30P30Q是铨力半导体一款P沟道增强型mos晶体管，漏源电压-30v，连续漏极电流-40A，导通电阻10mΩ@10V,15A，编带包装5000个数量，丝印为30P30Q，PDFN3X3封装，主要应用于直流/直流转换器，便携式设备负载开关，电池开关，欢迎询价问样。
AP30P30Q是铨力半导体一款P沟道增强型mos晶体管，漏源电压-30v，连续漏极电流-40A，导通电阻10mΩ@10V,15A，编带包装5000个数量，丝印为30P30Q，PDFN3X3封装，主要应用于直流/直流转换器，便携式设备负载开关，电池开关，欢迎询价问样。
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)＜13mΩ@VGs=-4.5V
AP30P30Q包装丝印及订购信息；
AP30P30Q最大额定值参数；
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