欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
场效应管

首页>>IC芯片>>场效应管

铨力N沟MOS AP2020G(图片 参数 应用)

AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS,20V90A,封装为PMPAK5x6,最大功耗87W,主要用于开关模式电源,负荷开关等,以下是该MOS的基本参数,最大额定值参数信息,低Rds(ON)以最小化传导损耗,高雪崩电流,如需了解价格欢迎联系二方电子。

在线订购
产品详情

AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS,20V90A,封装为PMPAK5x6,最大功耗87W,主要用于开关模式电源,负荷开关等,以下是该MOS的基本参数,最大额定值参数信息,如需了解价格欢迎联系二方电子。

AP2020G型号主要特性;

20V,90A

Rds(ON)=2.9mΩ(Typ.)@VGs =4.5V

Rds(ON)=4.0mΩ(Typ.)@VGs =2.5V

提供无铅和绿色设备(符合RoHS)

低Rds(ON)以最小化传导损耗

高雪崩电流

AP2020G参数

AP2020G最大额定值参数信息;

AP2020G最大额定值参数信息

相关铨力MOS型号推荐;

N沟道场效应管AP3400 30V5.8A(参数 图片 规格书)

N+P沟道mos AP4910GD(参数 应用 价格)