N沟道场效应管AP3400 30V5.8A（参数 图片 规格书）
AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET，采用贴片SOT-23-3封装，丝印3400，符合Rohs认证，不含铅，符合REACH法规，可替代美国万代厂家AO3400，适用于作负载开关或脉宽调制应用，包装一卷盘3000个，以下是该MOS的主要特点，参数及应用规格书介绍，欢迎向二方电子询价。
IC芯片 原装正品
电机驱动、电源管理IC方案解决商
全国服务热线0769-81816942
【 微信扫码咨询 】
0769-81816942
13342689247
AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET，采用贴片SOT-23-3封装，丝印3400，符合Rohs认证，不含铅，符合REACH法规，可替代美国万代厂家AO3400，适用于作负载开关或脉宽调制应用，包装一卷盘3000个，以下是该MOS的主要特点，参数及应用规格书介绍，欢迎向二方电子询价。
AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET，采用贴片SOT-23-3封装，丝印3400，可替代美国万代厂家AO3400，适用于作负载开关或脉宽调制应用，以下是该MOS的主要特点，参数介绍，欢迎询价。
N沟道场效应管AP3400主要特征；
Vds (V) = 30V
Id = 5.8A(VGs = 10V)
Rds(ON) <24mΩ(VGs = 10V)
Rds(ON) <30mΩ(VGs = 4.5V)
Rds(ON) <52mΩ(VGs = 2.5V)
30V5.8A MOS管AP3400极限参数；
规格书资料；
更多铨力MOS管推荐；
