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N沟道场效应管AP3400 30V5.8A(参数 图片 规格书)

AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET,采用贴片SOT-23-3封装,丝印3400,可替代美国万代厂家AO3400,适用于作负载开关或脉宽调制应用,包装一卷盘3000个,以下是该MOS的主要特点,参数及应用规格书介绍,欢迎向二方电子询价。

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AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET,采用贴片SOT-23-3封装,丝印3400,可替代美国万代厂家AO3400,适用于作负载开关或脉宽调制应用,以下是该MOS的主要特点,参数介绍,欢迎询价。

N沟道场效应管AP3400主要特征;

Vds (V) = 30V

Id = 5.8A(VGs = 10V)

Rds(ON) <24mΩ(VGs = 10V)

Rds(ON) <30mΩ(VGs = 4.5V)

Rds(ON) <52mΩ(VGs = 2.5V)

30V5.8A MOS管AP3400极限参数;

30V5.8A MOS管AP3400极限参数

规格书资料;

铨力N沟道场效应管AP3400规格书pdf

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