增强型n沟道mos管SFD6003T（参数 价格 应用）

SFD6003T属于N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺，有效地降低了产品的RonSP及寄生量，具有低导通内阻，低Ciss、Qg等特点，封装有两种，分别是TO-252-2L跟TO-251D-3L，主要用于不间断电源及逆变器系统的电源管理等领域。

SFX6003T增强型n沟道mos管主要特点；

30A,60V,RDS(on) (typ) =23mΩ@VGs= 10v

用于超低 Rdson 的高密度电池设计

具有高EAS的良好稳定性和均匀性

优秀的封装，良好的散热

高 ESD 能力的特殊工艺技术

出色的导通电阻和最大直流电流能力

SFD6003T绝对最大额定值参数信息；