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贴片60V50A增强型n沟道mos管AP68N06G

AP68N06G是深圳铨力半导体一款N沟道增强型MOS管,PDFN5*6封装,丝印68N06G,编带包装,漏源电压(Vdss)60V,连续漏极电流(Id)50A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A,栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@4.5V,欢迎咨询该MOSFET管​的价格。

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AP68N06G是深圳铨力半导体一款N沟道增强型MOS管,PDFN5*6封装,丝印68N06G,编带包装,漏源电压(Vdss)60V,连续漏极电流(Id)50A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A,栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@4.5V,欢迎咨询该MOSFET管的价格。

AP68N06G最大额定值参数;

AP68N06G最大额定值参数

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