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尚阳通9.8mΩ30V P沟道功率MOS管SRT03P098LMTR-G

SRT03P098LMTR-G是尚阳通一款p通道逻辑增强型功率场效应晶体管,SOP-8封装,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产,这种高密度工艺特别适合最小化通态阻力,该MOS的击穿电压为-30V,具有高强度雪崩特性,主要应用于锂电池BMS管理系统,便携式设备,笔记本中的电源管理,负载开关等。

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SRT03P098LMTR-G是尚阳通一款p通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产,这种高密度工艺特别适合最小化通态阻力,该MOS的击穿电压为-30V,具有高强度雪崩特性,有SOP-8和PDFN3.3*3.3两种封装,主要应用于锂电池BMS管理系统,便携式设备,笔记本中的电源管理,负载开关等。

SRT03P098LMTR主要特性参数;

BVdss =-30V

低导通电阻

Rds(ON) _TYP = 8.6mΩ @ VGs =-10V

Rds(ON) _TYP = 10.7mΩ @ VGs =-4.5V

超低栅电荷,Qg=57nC(典型值)

可靠的设计,具有更好的EAS性能

100% UIS测试

SRT03P098LMTR-G MOS管绝对最大额定参数值;

SRT03P098LMTR-G MOS管绝对最大额定参数值

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