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高压N沟道快恢复MOS B50T040F(电压 丝印 电流)

B50T040F型号是晶丰明源一款N沟道MOSFET,采用先进技术,可实现最小RDS(ON) 和卓越的开关性能,它还可以在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲,丝印B50T040,采用TO-252封装,VDS 耐压500V,漏极电流4A,VGS=10V最大导通阻抗3.6Ω。适用于高频开关模式电源,电子镇流器,电机驱动器等。

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B50T040F型号是晶丰明源一款N沟道MOSFET,采用先进技术,可实现最小RDS(ON) 和卓越的开关性能,它还可以在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲,丝印B50T040,采用TO-252封装,VDS 耐压500V,漏极电流4A,VGS=10V最大导通阻抗3.6Ω。

B50T040F主要特征;

低栅极电荷

低 Crss(典型值为 2.1pF)

快速切换

改进的 dv/dt 能力

100% 雪崩测试

快速反向恢复

高压mos管B50T040F主要应用;

高频开关模式电源,电子镇流器,电机驱动器等。

B50T040F绝对最大额定值;

B50T040F绝对最大额定值

订购信息;

B50T040F订购信息

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