欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
场效应管

首页>>IC芯片>>场效应管

BPMS04N003M 40V 110A N沟道功率MOSFET

BPMS04N003M采用了独特优化的超级沟槽技术,可提供高效的高频开关性能,由于Rds(ON)和Qe的极低组合,传导和开关功率损耗都被降到了最低,该器件非常适合高频开关和同步整流以及dcdc转换器,工作温度-55℃-150℃,丝印BPMS04N003M,功率75W,封装是DFN5*6,欢迎咨询。

在线订购
产品详情

BPMS04N003M采用了独特优化的超级沟槽技术,可提供高效的高频开关性能,由于Rds(ON)和Qg的极低组合,传导和开关功率损耗都被降到了最低,该器件非常适合高频开关和同步整流以及dcdc转换器,工作温度-55℃-150℃,丝印BPMS04N003M,功率75W,封装是DFN5*6。

BPMS04N003M主要特性;

BVDss = 40V,ID = 110A,Rds(ON)MAX=2.8mΩ

Rds(ON) _type =2.4mΩ @ Vgs = 10V

Rds(ON) _type =3.3mΩ @ vg = 4.5V

快速切换功能

具有更好EAS性能的稳健设计

EMI改进设计

100%的用户界面测试

绝对最大额定值;

绝对最大额定值

相关40V MOS管型号;

40V6A互补MOSFET BP0405SCG

在线客服