欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
IC问答

首页>>IC问答

H桥电路MOS耐压不够能串联吗?

作者:erfang 发布时间:2023-07-13 21:06:34点击:558

   H桥电路常用于直流电机控制、逆变器和电源等应用中,在H桥电路中,MOSFET的作用是作为开关器件,控制电流的流向和负载的驱动,有网友就问到这么一个问题,H桥电路MOS耐压不够时能串联吗?下面二方电子网络部小编来给您简单介绍下,欢迎指正。

   在H桥电路中,MOSFET的耐压是非常重要的,因为它们需要承受系统中的高电压,通常情况下,MOSFET的耐压是指其漏源电压(VDS)的最大额定值。在串联连接MOSFET时,总的耐压能力是由串联的各个MOSFET的耐压之和确定的。例如,如果两个MOSFET具有相同的耐压值为Vd,则串联连接时总的耐压能力将为2Vd。

   Mos管H桥电机驱动电路;

   Mos管H桥电机驱动电路

   然而,串联连接MOSFET时需要注意以下几点:

   1、匹配性:串联连接的MOSFET应具有相似的特性和参数,以确保它们在工作过程中均匀地承受电压,这包括电阻、电流特性和温度特性等,不匹配的MOSFET可能会导致电压分配不均,从而导致某个MOSFET超过其额定电压而故障。

   2、驱动电路:串联连接的MOSFET需要适当的驱动电路,以确保它们在开启和关闭时的时间和电压控制一致,驱动电路应具备高精度和匹配性,以克服不同MOSFET之间的差异。

   3、功耗和热特性:串联连接的MOSFET可能导致更高的总体功耗和热特性,当其中一个MOSFET承受较高负载时,可能会导致过热问题。因此,需要进行适当的热设计和散热措施,以确保串联的MOSFET在安全温度范围内工作。

   总之,串联连接MOSFET是一种常见的方法来增加总的耐压能力。但需要注意确保串联的MOSFET具有相似的特性和参数,并配备适当的驱动电路和热管理,以确保它们在实际应用中正常工作。在实际设计中,仍然需要参考相关的数据手册和厂商建议,并进行适当的仿真和测试,以验证串联MOSFET的可行性和性能。

   下面是小编为您推荐H桥MOS管型号;

   SFP9N20(VDS=200V,ID=9A TO-220-3L)、SFP18N20(200V/18A)、SFF13N50(500V/13A 0.37Ω@VGS=10V)、SFF16N50(500V/16A 265mΩ@VGS=10V ID=8A)、SFF18N50、SFF20N50、SFF16N65、SFF20N65、SCF60R125C、SCF60R160C、SCF60R190C、SCW65R090C、SCW65R099TF、SCW65R090CF、SCP65R090CF、SCF65R170C、SCF65R190TF、SCF65R240C

   对于H桥电路,功率及效率要求不高选VDMOS,功率及效率要求高coolMOS或IGBT,如有h桥mos管选择&选型需要帮助可联系网站客服。

相关标签:H桥Mos管

免责声明:本网站部分图片,文章来源于其它媒体与网站公开信息,版权归原作者所有,转载是出于非商业性的信息传播交流之目的,如涉及作品内容,版权或其它问题请及时反馈,我们将立即予以处理!

在线客服