欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
场效应管

首页>>IC芯片>>场效应管

电机驱动n+p沟道mos管SFQ0320T4(参数 图片 价格)

SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成,T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点,该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域,N沟道VDS=30V,ID=25A,P沟道VDS=-30V,ID=-24A,最新价格请联系客服。

在线订购
产品详情

SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成,T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点,该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域,N沟道VDS=30V,ID=25A,P沟道VDS=-30V,ID=-24A。

电机驱动mos管SFQ0320T4基本特性参数;

N沟道;

Vds=30V,ld=25A

导通电阻:15.3mΩ(VGS=10V,ID=15A)

导通电阻:21.1mΩ(VGS=4.5V,ID=10A)

P沟道;

Vds=-30V,ld=-24A

导通电阻典型值为12.3mΩ(VGS=-10V, ID=-5A)和16.5mΩ(VGS=-4.5V, ID=-5A)

深鸿盛增强型低压mos管SFQ0320T4 N沟道电气特性参数;

增强型低压mos管SFQ0320T4 N沟道电气特性参数

增强型低压mos管SFQ0320T4 P沟道电气特性参数;

增强型低压mos管SFQ0320T4 P沟道电气特性参数

在线客服