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高压4n65场效应管SFD4N65【参数 代换 规格书资料】

SFD4N65是深圳深鸿盛一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成,具有低导通损耗,耐高压650v,抗冲击能力强等特点,可广泛用于各类AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器等领域,下面是关于该mos管的参数,可代换的型号以及规格书资料。

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SFD4N65是深圳深鸿盛电子一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成,具有低导通损耗,耐高压650v,抗冲击能力强等特点,可广泛用于各类AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器等领域,下面是关于该mos管的参数,可代换的型号以及规格书资料。

4n65场效应管SFD4N65主要性能参数;

漏源电压:650V

漏极电流:4A 

封装:TO-252-2L

Rds(ON) TYP:2.3Ω@Vgs=10V Id=10A MAX:2.7Ω

SFD4N65高压mos管绝对最大额定值;

780.jpg

场效应管SFD4N65可代换哪些型号;

如FQPF4N65、SVF4N65、YH4N65、AP4N65等都是可以互换的。

深鸿盛高压mos4N6F其它封装型号;

SFP4N65(TO-220-3L)

SFF4N65(TO-220F-3L)

SFU4N65(TO-251J-3L)

SFM4N65(TO-251D-3L)

规格书资料下载;

深鸿盛高压mos管SFX4N65规格书pdf

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