高压4n65场效应管SFD4N65【参数 代换 规格书资料】

SFD4N65是深圳深鸿盛电子一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成，具有低导通损耗，耐高压650v，抗冲击能力强等特点，可广泛用于各类AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器等领域，下面是关于该mos管的参数，可代换的型号以及规格书资料。

4n65场效应管SFD4N65主要性能参数；

漏源电压：650V

漏极电流：4A 

封装：TO-252-2L

Rds(ON) TYP：2.3Ω@Vgs=10V Id=10A MAX：2.7Ω

SFD4N65高压mos管绝对最大额定值；

场效应管SFD4N65可代换哪些型号；

如FQPF4N65、SVF4N65、YH4N65、AP4N65等都是可以互换的。

深鸿盛高压mos4N6F其它封装型号；

SFP4N65（TO-220-3L）

SFF4N65（TO-220F-3L）

SFU4N65（TO-251J-3L）

SFM4N65（TO-251D-3L）

规格书资料下载；

深鸿盛高压mos管SFX4N65规格书pdf