欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
场效应管

首页>>IC芯片>>场效应管

N+P沟道MOS管AP3908GD(图片 价格 参数)

AP3908GD是一款N通道和p通道增强Mosfet,属于贴片MOS,生产厂商为铨力ALLPOWER,封装为PDFN5x6,丝印3908GD,漏源电压30V,连续漏极电流36A,-25A,漏源导通电阻8.5mΩ,主要应用于PWM应用,负载开关,电源管理,数码电子零部件。

在线订购
产品详情

AP3908GD是一款N通道和p通道增强Mosfet,属于贴片MOS,生产厂商为铨力ALLPOWER,封装为PDFN5x6,丝印3908GD,漏源电压30V,连续漏极电流36A,-25A,漏源导通电阻8.5mΩ,主要应用于PWM应用,负载开关,电源管理,数码电子零部件。

AP3908GD MOS主要特点;

N通道

VDD=30V,ID=36A

Rps (ON) <13m Ω @VGs=10V

Ros (ON) <19mΩ @VGs=4.5V

P通道

VDD=-30V,ID=-25A

RDs (ON) <23mΩ @VGs=-10V

Ros (ON) <(34mΩ @VGs=-4.5V

获得无铅产品 

高功率和电流处理能力

表面贴装封装

AP3908GD绝对最大额定值(功耗32W);

AP3908GD绝对最大额定值

相关MOS型号推荐;

NP沟道增强型低压MOS SFS4525T

相关标签:AP3908GD
在线客服